2009年度 MIRAI賞授賞式・受賞講演会
2010年04月27日掲載
平成21年度も、特に優れた研究開発成果や業績を対象とする、最優秀賞 2テーマおよび優秀賞 5テーマを厳選し、3月24日に、第八回の授賞式を行いました。
受賞されたのは、下記の7件、30名の方々です。受賞式では、渡辺プロジェクトリーダが各受賞者へ表彰状と記念品を授与した後、最優秀賞2テーマおよび優秀賞5テーマの受賞者代表が、受賞した研究の内容の報告を行いました。
平成21年度 MIRAI賞 受賞者名簿 (敬称略)
| 賞名 | 受賞テーマ | 受賞者氏名 | 所属チーム |
| 最優秀賞 | 「オンチップ光波長多重技術の開発」 | 藤方 潤一 (日本電気) 牛田 淳 (日本電気) 清水 隆徳 (日本電気) 木下 雅夫 (日本電気) 野口 将高 (日本電気) 土澤 泰 (NTT) 渡辺 俊文 (NTT) 山田 浩治 (NTT) 板橋 聖一 (NTT) |
NSI 光配線 |
| 最優秀賞 | 「EUVマスクパターン欠陥検査技術の開発」−許容欠陥仕様の実験検証と高感度検査技術の構築− | 茂村 弘之 (NECエレクトロニクス) 加茂 隆 (東芝) 高木 紀明 (凸版印刷) 天野 剛 (大日本印刷) 有澤 幸恭 (東芝) |
EUVマスク技術 |
| 優秀賞 | 「Ge-MISFET用ストロンチウムジャーマナイド界面層技術の開発」 | 鎌田 善己 (東芝) 上牟田 雄一 (東芝) |
U-CMOS |
| 優秀賞 | 「アトムプローブを用いたSi-MOSFETの三次元不純物分布解析技術 の開発」 | 高見澤 悠 (東北大学) 永井 康介 (東北大学) 井上 耕治 (東北大学) 矢野 史子 (ロバストTr.) 村 貴昭 (ルネサステクノロジ) 西田 彰男 (ルネサステクノロジ) |
NSI ロバストTr. |
| 優秀賞 | 「SETソフトエラー予測に向けた高精度SETパルス検出技術の開発」 | 中村 英之 (NECエレクトロニクス) 田中 克彦 (NECエレクトロニクス) 上村 大樹 (富士通マイクロエレクトロニクス) 竹内 幹 (ルネサステクノロジ) 福田 寿一 (東芝) |
NSI 耐外部擾乱デバイス |
| 優秀賞 | 「IF変動防止技術の開発」 | 山谷 大樹 (EUVA) 佐藤 弘人 (EUVA) |
EUV光源高信頼化技術開発 ②集光光学系などの清浄化技術の開発 |
| 優秀賞 | 「LIF（レーザ誘起蛍光法）を用いたSn計測技術の開発」 | 柳田 達哉 (EUVA) | EUV光源高信頼化技術開発
①光源起因マスク、ミラーの汚染評価技術の開発 |
| 平成21年度 MIRAI賞 最優秀賞 受賞者・PL・RUL・TL |  |
| 平成21年度 MIRAI賞 優秀賞 受賞者・PL・RUL・TL |
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| 【講演会】 |
| 最上RULから概要説明 |
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最優秀賞(1)「オンチップ光波長多重技術の開発」 代表 渡辺 俊文 |
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森RULから概要説明 |
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| 最優秀賞(2)「ＥＵＶマスクパターン欠陥検査技術の開発」 代表 茂村 弘之 |
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手塚TLから概要説明 |
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| 優秀賞(1)「Ｇｅ−ＭＩＳＦＥＴ用ストロンチウムジャーマナイド界面層技術の開発」 代表 鎌田 善己 |
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最上RULから概要説明 |
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| 優秀賞(2)「アトムプローブを用いたSi-MOSFETの三次元不純物分布解析技術の開発」 代表 高見澤 悠 |
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| 最優秀賞(3)「SETソフトエラー予測に向けた高精度SETパルス検出技術の開発」 代表 田中 克彦 |
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笠間RULから概要説明 |
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| 最優秀賞(4)「ＩＦ変動防止技術の開発」 代表 山谷 大樹 |
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| 最優秀賞(5)「LIF（レーザ誘起蛍光法）を用いたSn計測技術の開発」 代表 柳田 達哉 |
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PL:Project Leader, RUL:Research Unit Leader, TL:Theme Leader, GL:Group Leader
