2009年 半導体MIRAIプロジェクト成果報告会ご参加の御礼
2010年2月5日更新
2009年 半導体MIRAIプロジェクト成果報告会は、2009年12月16日(水)つくば国際会議場にて開催し、 555名の皆様にご参加いただき、盛会裏に終えることができました。ご参加いただきました皆様には厚く御礼申し上げます。
また、アンケートにも多数の皆様からのご意見を頂きました。皆様から頂いたご意見は、今後の半導体MIRAIプロジェクトに活かして参りたいと思います。
主催：半導体MIRAIプロジェクト
独立行政法人 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター(NIRC)
株式会社 半導体先端テクノロジーズ(Selete)
技術研究組合 極端紫外線露光システム技術開発機構(EUVA)
株式会社 東芝
共催：独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO技術開発機構)
協賛：社団法人 電子情報技術産業協会(JEITA)
一般社団法人 半導体産業研究所(SIRIJ)
社団法人 日本半導体製造装置協会(SEAJ)
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| 会場内 大ホール正面 |
会場 正面入口 |
会場内 技術セッション |
会場ロビー ポスターセッション |
プログラム（
予稿データ）※掲載データの無断転載を禁じます。
| 【司会：湊 修】 |  |
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| 10:30-10:35 | 開会挨拶 NEDO技術開発機構 電子・情報技術開発部 中山 亨 部長 |
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| 10:35-10:40 | 来賓挨拶 経済産業省 商務情報政策局 平井 淳生 情報経済企画調査官 |
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| 10:40-10:45 | 主催者挨拶 PL 渡辺 久恒 |
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| 【司会：金山 敏彦RUL】 |  |
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| 10:45-11:40 | 新構造CMOS（Ultrascaled CMOS）技術（55分） | |
| 10:45-11:10 | 高移動度チャネルトランジスタ技術 TL 手塚 勉 (PDF:773KB) |
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| 11:10-11:40 | バリスティック効率向上のためのCMOS基盤技術 TL 太田 裕之 (PDF:1.74MB) |
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| 11:40-14:00 | 休憩及びポスターセッション（140分）
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| 【司会：最上 徹RUL】 |  |
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| 14:00-15:40 | Nano Silicon Integration技術（100分） | |
| 14:00-14:25 | ロバストトランジスタ技術 TL 平本 俊郎 (PDF:4.11MB) |
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| 14:25-14:50 | 耐外部擾乱デバイス技術 TL 熊代 成孝 (PDF:1.25MB) |
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| 14:50-15:15 | カーボン配線技術 TL 粟野 祐二 (PDF:4.87MB) |
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| 15:15-15:40 | LSIチップ光配線技術 TL 大橋 啓之 (PDF:1.94MB) |
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| 15:40-15:55 | （休憩） | |
| 【司会：森 一朗RUL】 |  |
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| 15:55-16:40 | EUVL技術（45分） | |
| 15:55-16:15 | EUVL実用化への挑戦 RUL 森 一朗 (PDF:3.26MB) |
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| 16:15-16:40 | EUVマスク技術 TL 須賀 治 (PDF:3.01MB) |
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| 【司会：笠間 邦彦RUL】 |  |
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| 16:40-17:20 | EUV光源技術（40分） | |
| 16:40-17:00 | EUV光源高信頼化技術（LPP光源） TL 住谷 明 (PDF:1.12MB) |
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| 17:00-17:20 | EUV光源高信頼化技術（DPP光源） TL 堀田 和明 (PDF:1.32MB) |
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| 17:20-17:30 | ご講評 | |
| 17:20-17:25 | 東京大学 工学系研究科 電気系工学専攻 柴田 直 教授 |
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| 17:25-17:30 | (株)ルネサステクノロジ 西村 正 取締役 |
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| 17:30-17:35 | 閉会挨拶 独立行政法人 産業技術総合研究所 伊藤 順司 理事 |
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PL:Project Leader, RUL:Research Unit Leader, TL:Theme Leader, GL:Group Leader
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