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>新着情報・トピックス
[ 2008/03/17 ]
2007年度 MIRAI賞授賞式・受賞講演会を開催

このほど、特に優れた研究開発成果や業績を対象とする最優秀賞5テーマおよび優秀賞4テーマ、ならびにプロジェクト推進への特段の努力に与えられる特別賞1テーマを選定し、3月17日に、第六回の授賞式を行いました。...続き
[ 2008/02/14 ]
2007年 半導体MIRAIプロジェクト成果報告会ご参加の御礼

2007年 半導体MIRAIプロジェクト成果報告会は、2007年12月18日(火)つくば国際会議場にて開催し、665名の皆様にご参加いただき、盛会裏に終えることができました。
ご参加いただきました皆様には厚く御礼申し上げます。続き→
[ 2007/12/26 ]
トランジスタ特性ばらつきの新しい規格化手法の開発 (12/26日経産業新聞掲載)
[ 2007/12/14 ]
マルチゲート型トランジスタの性能を大幅に向上させる技術を開発 (プレスリリース)

電流方向のひずみを保持したまま、チャネルの側壁を数原子層レベルで平坦化する技術を開発
[ 2007/12/13 ]
ゲートファースト プロセスで世界最薄ゲート絶縁膜のトランジスタを実現 (プレスリリース)

高温の熱処理に対して安定な界面層の形成技術を適用
関連機関へのリンク
株式会社 半導体先端テクノロジーズ
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
独立行政法人 産業技術総合研究所
株式会社 半導体理工学研究センター
半導体産業研究所
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